William Shockley 创办了肖克利半导体实验室

1955

七年前与他人共同发明半导体的发明家 William Shockley 在圣克拉拉谷创办了肖克利半导体实验室。 他招募了 12 名年轻科学家组成了"博士生产线",致力于使用锗和硅制造晶体管。 Shockley 于 1956 年获得“诺贝尔物理奖”,但是他的管理风格和纯研究型个性导致这八位年轻科学家离开了公司。

“八叛逆”发明了大量生产硅晶体的方法

1957

Gordon E. Moore, C. Sheldon Roberts、Eugene Kleiner、Robert N. Noyce、Victor H. Grinich、Julius Blank、Jean A. Hoerni和Jay T. Last——Shockley Semiconductor公司的八个叛逆天才——利用自己出资的3500美元开发了一种方法,采用双扩散技术和化学蚀刻系统实现了硅晶体管的量产。 硅和锗台面工艺使厂家可在单一晶片上生产多个晶体管。 (此前,只能一次生产一个晶体管。) 新"台面工艺"潜力巨大,但是发明家需要财政支持。

Fairchild Camera and Instrument Corporation以八年内购买该公司作为回报,投资了 150 万美元。 1957 年 10 月 1 日,Fairchild诞生。 它的目标: 开发并生产扩散硅晶体管和其他半导体设备。 新公司诞生六个月内销售了首批产品,获得盈利: 获得一份来自 IBM™ 的订单,共计生产 100 件晶体管,每件的价格为 150 美元。 在当地的一家超市中,Jay Last 将夹在 Brillo ® 卡通漫画册中的订单取走。

Robert Noyce开发了单片集成电路——一片指甲盖大小的晶圆微型电路。

1958

Noyce 的Fairchild同事 Jean Hoerni针对该想法进行了进一步研究,并将集电器、基极和发射机全部放在一个面板上。 平面晶体管问世,一个新的行业也因此诞生。 近五十年后的今天,平面工艺已成为生产晶体管的主要方法。

单片集成电路获得专利

1961

1959 年 7 月 30 日,Fairchild创建者之一兼总经理 Robert Noyce 为单片集成电路提出专利申请。

1961 年 4 月 25 日,Fairchild获授此专利,并从此开启了集成电路时代。 电阻-晶体管逻辑 (RTL) 产品 — 置位/复位触发器 — 是该行业首个可作为单片生产的集成电路。

1961 年 4 月 25 日这一天,Noyce 被授予"集成电路"专利

1961

美国专利局为Robert Noyce的集成电路核发了专利,开始了与Jack Kilby漫长的专利之争。 Kilby发明了锗电路,而Noyce开发了硅集成电路——后者为更多的人所接受。 集成电路代替了计算机中的晶体管,大幅缩小了机器尺寸。

Jack Kilby 和 Robert Noyce 的集成电路

1962

与很多发明的情况类似,不止一人几乎同时有了集成电路的想法。 在1950年代,很多发明家意识到,虽然晶体管在无线电、电话、计算机等一切事物中早已司空见惯,并且晶体管体积比真空管还要小,但对于某些最新的电子产品来说,它们还不够小。

Fairchild创办工厂

1962

1962 年,Fairchild开始在缅因州南波特兰制造、测试和组装用于收音机、示波器及其它仪器的晶体管。

双栅设备

1963

第二代 RTL 产品,即双栅设备首次采用了埋层隔离技术。

NPN 平面功率晶体管

1964

采用薄膜发射极电阻技术的做法为业界首创。

第一款运算放大器

1965

Fairchild开发了首个普遍应用于全行业的 OpAmp(运算放大器)— 这是线性集成电路领域中的一个里程碑。

首个标准的 TTL 产品

1966

Fairchild推出了首个标准的 TTL 产品,一个四芯导线双输入NAND栅极。 TTL 逻辑仍是该行业的主力产品。与早期电路类型相比,该产品在速度和功率方面更具优势。

32 栅极定制 DTL 逻辑数组

1967

全行业首个双层金属工艺 32 栅极定制 DTL 逻辑数组投产。

Fairchild推出新的 OpAmp

1968

Fairchild推出OpAmp,一种最早将温度补偿和 MOS 电容器纳入的线性集成电路之一。

Fairchild发布了业界首款具有发射极-基极和基极-集电极结点电介质隔离的功能器件

1973

合并式等平面 II (Incorporated Isoplanar II)使集成电路晶体管的尺寸比Fairchild最初等平面的产品减小了 70%。 与传统工艺所生产的设备相比,等平面设备的性能 II 改善了两倍。

推出了 FAST(Fairchild高级 Schottky TTL)逻辑

1978

推出了 FAST 逻辑,其性能比标准的Schottky (74S) 提高了 20% 至 30%,功率减小 75% 至 80%。

Fairchild Camera and Instrumentation Company成为Schlumberger Limited的子公司

1979

Fairchild的母公司 — Fairchild Camera and Instrumentation Company 成为Schlumberger Limited(一家全球油田服务和电子公司)的子公司。

FACT™逻辑具有出色的速度,同时保持CMOS的低功耗特性

1985

1985 年,FACT™(Fairchild 高级 CMOS 技术)逻辑在保持 CMOS 低功耗的同时获得较快的速度。 它为系统设计师提供了优质线性特征,以及优秀的 ESD 和闭锁抗扰度。 FACT AC 和 ACT 系列提供了具有 CMOS 兼容输入及 TTL 与 MOS 兼容输出特性的标准逻辑功能。 FACT 是市场上首个高性能 CMOS 系列,也是唯一一个在激烈的市场竞争中立于不败之地的产品。

推出首个非易失性电力可拭存储器

1986

使用高耐用性和低能耗的Fairchild浮动栅极 COMS推出首款 CMOS 非易失性电力可拭存储器,用于要求小脚本和高可靠性的应用程序。

National Semiconductor Corporation购买Fairchild产品

1987

FACT Quiet Series

1989

FACT 静音系列 (FACT QS™) 使用专有的"静音系列"技术控制输出过冲、下冲和 EMI,并提供所有 CMOS 方法都无可匹敌的低噪音,同时提供比 FACT 更快的速度。 FACT 静音系列 ACQ 产品提供 CMOS 兼容输入和 MOS 兼容输出。 它是首个结合电路图的 CMOS 系列,用于控制所有CMOS 电路产生的噪音。

建立在 AMG™ 架构上的 EPROM

1990

1990 年,推出建立在 AMG™(替代金属接地)架构上的 EPROM。 传统的 T 电池每两排一个触点,与之相比,该架构每 64 排仅需一个触点。 因此,它是行业中尺寸最小的芯片。

发布300系列ECL,是目前使用最方便的ECL逻辑系列

1991

较快的栅极速度、满载电压和温度补偿,以及推动低阻抗传输线的能力使 300 系列成为基于 ECL 的系统以及 ECL 与 TTL 和/或 CMOS 混合系统的优选逻辑设备。 它是在温度/电压 ECL 电路里纳入温度和电压补偿的首个系列之一。

首款HC替代产品,低噪声、高速CMOS逻辑器件

1993

CROSSVOLT™ LCX低压逻辑系列具有领先的3.3优化逻辑

1994

其率先纳入过压容差,推动行业向 3.3V 操作转变。

即插即用控制器

1994

为在 ISA 总线适配器卡上实现即插即用功能,提供完整的单芯片解决方案。

TinyLogic ®

1996

TinyLogic™ 在某些现有可用最小封装中提供单栅功能。 "微型高速系列"提供与 HC/VHC 相似的性能,并可配合 CMOS (HS) 和 TTL (HST) 兼容输入使用。

Fairchild重新成为一家独立公司

1997

Fairchild重新成为一家独立公司,预示着一家拥有辉煌创新历史、卓越设计人才与制造能力的公司回归业界,以重塑二十一世纪的技术。

  • GTLP背板收发器针对中等至高性能背板应用设计。 开漏输出结构和边缘速率控制使后面板设计师可优化其设计,以便在利用入射波切换的同时,还可使用后面板的独特性能特征,从而使后面板数据的流量最大化。
  • MOSFET 中的 PowerTrench ® 技术每平方英寸一千万个单元代表 Fairchild 闭合单元平面 30 V 功率 MOSFET 产品组合的技术巅峰。 随着低栅极电荷以及更快的切换要求使 PowerTrench™ 成为业界关注的焦点,此功率 MOSFET 技术标志着行业发展的转折点。
  • VCX™是业界首款2.5V逻辑系列 Fairchild CROSSVOLT™ VCX低压逻辑是业界首款低压系列,针对2.5V性能优化。 VCX 速度非常快,有 3.3V、2.5V 和 1.5V等电压可选。 VCX 以高性能 CMOS 方法制造而成,提供输入和输出超压容差、低 CMOS 功耗和均衡的高驱动。

算术控制器引擎 (ACEx™)

1998

同类中首款算术控制器引擎 (ACEx™) 是一个为低功率高性能而优化的复杂 8 位微型控制器。 ACEx 首次使用 8 根引线 TSSOP 封装,是低功率和电池应用的理想选择。

RC5051

1998

Fairchild的模拟生产线率先使用在 PC 上用其 RC5051 进行 DC-DC 转换的开关。

Fairchild进入 LVT 市场

1999

Fairchild进入 LVT 市场,以满足客户对蒲式耳和非蒲式耳 LVT 产品稳定供应的要求,从而大幅扩展了Fairchild进入分离式驱动应用(如后面板、存储器阵列、网络和电信开关)整体消费市场的道路。

Fairchild收购Samsung的电力设备部门

1999

Fairchild成功完成对Samsung电力设备部门的收购,获得了一条用于生产功率分离式设备以及各类行业标准模拟元件的完整生产线。 Fairchild的多市场产品组合现在包括市场排名前 100 的高容量模拟产品,以及最全面的分立式电源产品。 在功率系统设计中使用时,Fairchild的开放式单元平面 MOSFET 技术拥有业界最佳性能。 QFET 技术具有改善的导通电阻、最小化的栅门负以及非常高的 dv/dt 能力,因而能提高耐久性。

Fairchild的电源开关技术 (SPS) 将一个脉冲宽度调节 (PWM) IC 和一个用于离线电源切换封装的 SenseFET 相结合。 在减少部件数量并使成本最小化的同时,电源开关解决方案还提供了有助于增加可靠性的保护功能。

Fairchild的 IGBT 是一种综合使用二极和 MOSFET 两种技术的电源转换器,因而使设备具有容易驱动的低开态损耗特性。 IGBT 特别适合更高功率的应用。在此类应用中,其可抑制 MOSFET 的传导损失。

功率产品的BGA封装 Fairchild成为上市公司。 公司在纽约股票交易所的股票交易代码为 FCS。

在功率系统设计中使用时,Fairchild的开放式单元平面 MOSFET 技术拥有业界最佳性能。 QFET 技术具有改善的导通电阻、最小化的栅门负以及非常高的 dv/dt 能力,因而能提高耐久性。

Fairchild推出接口和逻辑组

2000

2000 年,Fairchild推出接口和逻辑组,进军快速增长的 Internet 硬件和无线领域。 这是公司规划的关键一步,即通过新产品开发和战略收购成为所选市场中的领军者,实现内部增长。

Fairchild完成对 QT 光电子的收购

2000

Fairchild完成对光电领域全球最大独立公司 QT Optoelectronics 的收购,将公司产品组扩大到所有细分市场。

Fairchild收购 Kota Microcircuits 和 Micro Linear 公司电源管理部。

2000

Fairchild通过收购 Kota Microcircuits 和 Micro Linear 的电源管理业务,促进其全球模拟业务的发展。 仅仅 28 个月里,此收购就使公司模拟业务的年收入公司从零增长到 4 亿美元。

Fairchild推出同类首个 MOSFET BGA 封装

2000

Fairchild推出同类首个 MOSFET BGA 封装,该封装具有用于手机电源管理应用的 FDZ204P 高电流密度负载切换功能。 这款创新的专利封装具有从 2.25(如图所示)至 27.5mm2不等的各类规格,额定电流超过 30 安培。

Fairchild推出行业首个 20 位可配置总线开关。

2001

Fairchild推出行业首个 20 位可配置总线开关。 FST16450 是一个具有可选电平切换功能的 20 位可配置总线开关,FSTUD16450 是一个具有下冲保护和可选电平切换功能的 20 位可配置总线开关。 这两个 20 位设备都可配置为 4、5、8、10、16 或 20 位开关。 这些设备为设计师显著地节省了空间、提供了设计的灵活性,并减少了部件数量。

Fairchild完成收购Intersil Corporation分立式功率产品业务部门,成为世界上第二大功率MOSFET供应商

2001

Fairchild晋升为亚太地区分立式半导体顶级供应商 Fairchild晋升为亚太地区分立式半导体顶级供应商,其在该市场上的收入增长达31%。 Fairchild通过优化以下市场获得飞跃,一举领先: 计算机(包括台式机、笔记本、服务器、HDD)、通讯(包括移动电话、网络)、汽车、电源 (AC/DC, DC/DC)、电动机控制、消费者、照明镇流器、CRT 显示器和新兴市场(游戏系统、DSC、PDA、MP3)。

FDS6670AS

2002

FDS6670AS标志着Fairchild SyncFET™专利技术用于第三代PowerTrench®核心工艺。

Fairchild开发表面贴装蓝色 LED™

2002

Fairchild开发表面贴装蓝色 LED™。 此外,FDS6670AS 还是针对用于 CPU 内核电源电压的降压转换器应用中同步整流设计的各产品系列的最新款,标志着 Fairchild SyncFETTM 专利技术用于第三代 PowerTrench ® 核心工艺。

Fairchild推出 FSBB20CH60

2003

FSBB20CH60 是用于三相逆变器的业界最小智能电源模块,且一个封装里包含 16 个芯片。

Fairchild推出 µSerDes™

2005

Fairchild推出 µSerDes™ 低功率 24 位双向 串并/并串转换器。该转换器也是体积最小、功率最低、 EMI SerDes 最低的设备。 它大大减少了信号线的使用,因此迅速在新兴的手机市场普及。 灵活的架构使之可在无需更改软件的条件下跨平台使用。 同一 时期,Dr. Mark Thompson 被委任为总裁兼 CEO。

FDMC7570S

2010

FDMC7570S (一个 25 V 的 MOSFET)在一个 3 mm x 3 mm MLP 封装中提供行业最低的 RDS (ON) ,从而提供无可匹敌的高效率,并改善接合温度。

FDZ192NZ 和 FDZ372NZ

2010

FDZ192NZ和 FDZ372NZ 是行业中最小最薄的晶圆级芯片尺寸 (WL-CSP) N 沟道器件。