混合电动汽车解决方案

随着 CO 2 法规不断增多,EV/HEV 制造商迫于压力提供更具成本效益和能源效益的系统。

Fairchild 的 MOSFET、整流器、IGBT、裸片和模块驱动器 IC 车用产品组合为动力系和其他功率存储系统提供易于使用、高度灵活和高性能的 EV/HEV 解决方案。

EV/HEV 应用包括:

我们符合车用标准的 SuperFET® II MOSFET 整流器 产品系列支持更洁净、更智能的汽车产品,是提高混合、插件混合和全电动汽车中的车载充电器和 DC-DC 转换器而定功率的理想产品。

此外,Fairchild 还提供裸片 IGBT 和整流器,用于牵引逆变器,由于单片电流和温度检测,能够提供更低的开关损耗、更佳的工艺控制和更高的保护等级。 裸片 SuperFET MOSFET 还可用于充电器应用。 我们的裸片产品采用 AEC-Q101 认证作为标准参考,允许设计人员构建可靠的电源模块,用于 EV/HEV 牵引逆变器和车载充电器。 Fairchild 还提供各种采用未锯 晶圆 、锯制晶圆、卷带和   已知合格裸片 (KGD) 的车用产品。 有关更多信息或订购样品,请访问 automotivedie@fairchildsemi.com

Fairchild 的分立式e IGBT 用于牵引和辅助逆变器,提供设计灵活性、减少了并联器件、提高了功率密度,并进而提高了解决方案的整体效率。 这就允许设计人员构建具有卓越性能和车用级可靠性的可扩展 EV/HEV 逆变器和其他动力系应用。

我们最新的车用级模块 FAM65V05DF1 ,在单个电隔离的封装中集成 IGBT、续流二极管和栅极驱动器。 它是辅助电机控制应用的理想选择,也是市场上的最小解决方案,简化了电源级设计、组装并提高了 EMI 性能。

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样品
分立式 IGBT
FGY120T65SPD_F085 场截止沟道 IGBT PDF 样品
FGY160T65SPD_F085 带快速软恢复二极管的 650 V/160 A 场截止沟道 IGBT
PDF 样品
裸片
PCGA200T65NF8 650 V/200 A 场截止沟道 IGBT PDF  
PCGA300T65DF8 650 V/300A 场截止沟道 IGBT PDF  
PCRKA20065F8 650 V/200 A 极快速二极管 PDF  
PCRKA30065F8 650 V/300A 极快速二极管 PDF  
MOSFET
FCH190N65F_F085 600 V/21 A SuperFET II MOSFET PDF 样品
FCH077N65F_F085 650V/54A SuperFET II MOSFET PDF 样品
FCH041N65F_F085 650V/76A SuperFET II MOSFET PDF 样品
整流器
FFH50US60S_F085 600 V/50 A 整流器 PDF 样品
RHRG3060_F085 600 V/30A 整流器 PDF 样品
RURP15100_F085 1000V/15A 整流器 PDF 样品
模块
FAM65V05DF1 车用三相 IGBT 智能功率模块 PDF 样品
FTCO3V455A1 三相逆变器汽车功率模块 PDF 样品
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