GreenBridge™ 4-MOSFET 解决方案

更高的效率、更佳的热性能

GreenBridge™ 有源桥 4-MOSFET 降低了传导损耗、提高了功率转换效率、采用小尺寸封装、适用于高功率 PoE 应用。 FDMQ8205 系列由两个 N-沟道和两个 P-沟道额定电压为 80 V 的 MOSFET 组成,采用单个 MLP-12 小封装。

由于与传统肖特基二极管相比,改善了传导损耗、提高了效率,GreenBridge 解决方案的功散最多可改进 10 倍。 由于采用了创新型自驱技术,无需使用外部驱动元件,因而在有源桥应用中缩小了解决方案的尺寸、降低了成本和复杂度。

PoE 系统原理图

PoE 系统原理图

优势

  • 更高的效率和更低的传导损耗
  • 更佳的热性能
  • 占用更小的电路板空间、降低了系统成本
  • 符合 PoE 标准

应用

  • 安全摄像头
  • IP 电话
  • 无线接入点
  • LED照明

功耗比较

功耗比较

压降比较

压降比较

 

部件 ID 说明 驱动
电路
总传导
电阻 @ 25°C (mΩ)
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FDMQ8205 GreenBridge 2 系列 内部 N&P = 169  PDF 样品
FDMQ8203 GreenBridge 1 系列 外部 N&P = 300 PDF 样品
FDMQ8403 GreenBridge 1 系列 外部 N&N = 220 PDF 样品