MOSFET

创新历史和 MOSFET 技术的领导地位

Fairchild 早在 1990 年代就是沟道 MOSFET 的开创者。 自那时起,我们就不断完善 MOSFET 技术和生产,针对任何应用开发了成千上万的大量产品组合。 Fairchild 的 MOSFET 提供业界最佳的性能,高品质因数、以及引脚到引脚的兼容性,方便使用。 由于我们提供高质量和高可靠性、设计支持以及一致可用性,设计人员持续选择我们的 MOSFET。

低电压 < 30 V
Fairchild 提供大量低电压 N-沟道和 P-沟道 MOSFET,可用于各种应用包括 DC/DC 转换、热交换和负载开关。 查看完整的低电压产品组合

中电压 30 V – 250 V
Fairchild 的中电压 MOSFET 提供低开关节点振铃,采用屏蔽栅极技术由先进的沟道工艺支持。 查看完整的中电压产品组合

高电压 > 250 V 至 1700 V
Fairchild 的平面型、沟道和超级结高电压 MOSFET 设计实现高效率和高耐用性。 查看完整的高电压产品组合


部件 ID BVdss (V) 10 V
时的 RDSon (mΩ)
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样品
低电压
FDMS7556S 25 V 1.2 mΩ Power 56 数据表 样品
FDMS8050ET30 30 V 0.65 mΩ Power 56 数据表 样品
FDMS7650 30 V 0.99 mΩ Power 56 数据表 样品
FDMC8010 30 V 1.3 mΩ Power 33 数据表 样品
FDMS7656AS 30 V 1.8 mΩ Power 56 数据表 样品
中电压
FDMS8350L 40 V 0.85 mΩ Power 56 数据表 样品
FDMS86500L 60V 2.5 mΩ Power 56 数据表 样品
FDMS86181 100 V 4.2 mΩ Power 56 数据表 样品
FDMS86101 100 V 8 mΩ Power 56 数据表 样品
FDP075N15A_F102 150 V 7.5 mΩ TO-220 3L 数据表 样品
FDMS86200 150 V 18 mΩ Power 56 数据表 样品
高电压
FCH041N60F 600 V 41 mΩ TO-247 3L 数据表 样品
FCPF400N60 600 V 600 mΩ TO-220F 3L 数据表 样品
FCH072N60F 600 V 72 mΩ TO-247 3L 数据表 样品
FCH47N60F_F133 600 V 73 mΩ TO-247 3L 数据表 样品
FCPF1300N80Z 800 V 400 mΩ TO-220F 3L 数据表 样品

为何选择 Fairchild FET

  • 电源供电解决方案是 Fairchild 核心业务的一部分,五十多年来我们持续提供领先的功率半导体。
  • MOSFET 和栅极驱动 IP 相结合构建了针对应用而优化的解决方案,在整个系统中最小化转换和传导损耗。
  • 能够混合和匹配MOSFET,控制器和PWM驱动器IP具有高级处理和封装功能以提供优化的组件选择。
  • 我们的MOSFET提供出色的设计可靠性,减少电压尖峰和过冲,降低结电容和反向恢复电荷,消除额外的外部组件以保持系统不变和更长久运行。