PowerTrench® MOSFETs

PowerTrench Fairchild 早在二十世纪九十年代就是沟道 MOSFET 的早期开创者。 自那时起,我们一直完善 MOSFET 技术和生产,针对任何应用开发了成千上万的大量产品组合。 Fairchild 的 PowerTrench ® MOSFET 提供业界最佳的性能,更优的品质因数,以及引脚到引脚的兼容性,便于使用。 由于我们提供高质量和高可靠性、设计支持和一致可用性,设计人员持续选择我们的 MOSFET。

我们最新的 100 V PowerTrench ® MOSFET 提供电压级极低的 RDSon 和 Qrr,以及极快的反向恢复,并支持更高的系统效率。 屏蔽栅极结构提供电荷平衡,通过最小化同步整流中的不良电压尖峰,软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代具有更高额定电压的 MOSFET。 Fairchild PowerTrench MOSFET 允许设计人员显著提高同步整流应用中的系统效率和功率密度。

部件 ID BVdss (V) 10 V
时的 RDSon (mΩ)
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FDMS86181 100 V 4.2 mΩ Power 56 PDF 样品

这些 MOSFET 是 Fairchild 全面的 MOSFET 产品组合的一部分,为设计人员提供了广泛的击穿电压(-500 V 至 1000 V)、最先进的封装和业内领先的 FOM,在需要电能转换的应用中实现高效的电源管理。

PowerTrench® MOSFET 产品选择

特点与优势

  • 低 FOM RDS(on)*QG
  • 低反向恢复电荷,Qrr
  • 反向恢复软体二极管
  • 支持高效同步整流
  • 100% 经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用

  • 交流/直流电源的同步整流
  • 隔离式 DC-DC 转换器
  • 电池充电器和电池保护电路
  • 直流电机驱动
  • 微型太阳能逆变器
  • UPS 和电池备份