SuperFET® MOSFET

Fairchild 的 SuperFET® MOSFET 系列将超级结技术用于其高电压功率 MOSFET 产品组合。 采用该技术之后,Fairchild 可为高端 AC-DC SMPS 应用提供鲁棒性卓尔不群的体二极管性能。 我们的解决方案运用一种先进的电荷平衡技术,帮助设计者实现突出的可靠性。 该系列具有优异的效率和散热特性,可适用于多种应用之中;不仅如此,其丰富的封装选项让设计者拥有了巨大的灵活性,这一点在空间紧张的设计中尤为突出。

SuperFET® MOSFET 特性

  • 同级最佳的鲁棒的体二极管(SuperFET II 和 SuperFET II FRFET® MOSFET)
  • 输出电容的存储电能更低(Eoss 更低)
  • 显著降低导通电阻 R DS(ON)
  • 降低栅极电荷 (Qg) 性能
  • 集成栅极电阻 (600V/650V SuperFET II MOSFET)
  • 集成栅极齐纳二极管 (800V SuperFET II MOSFET)

SuperFET® MOSFET 优势

  • 鲁棒的体二极管为软开关结构带来更高的系统可靠性
  • 鲁棒的体二极管让桥结构更加可靠与耐用
  • 为软开关结构带来更低的 Eoss 以减小损耗
  • 轻载条件下效率更高、驱动和开关总体损耗更低
  • 由于导通电阻 R DS(ON) 显著降低,所以导通损耗也降低
  • 集成栅极齐纳二极管(部件号后缀中带"Z"字)带来内建的静电放电 (ESD) 保护。
  • 集成栅极电阻以降低栅极振荡和电磁干扰 (EMI) 噪声

SuperFET 产品系列包括:

  • 650 V SuperFET III 系列 提供最高性能的超级结 MOSFET,专门设计实现极高的功率密度。 与以前业界领先的技术相比,SuperFET III 技术在相同的封装大小中减少 RDSon 高达 50%,允许产品设计人员减少产品尺寸或提高相同面积下的功率。
  • 600 V/650 V SuperFET II FRFET 系列 进一步增强了体二极管特性,实现业界最佳的鲁棒性和可靠性,能够耐受更高的 dv/dt 和异常故障状况。 非常适用于软开关和要求低 EMI 的应用。
  • 600 V SuperFET II Easy-Drive 系列 因升降时间较慢进一步优化了开关性能,实现异常状况和不合理布局中的可靠运行。 在要求低 EMI 噪声的硬开关或软开关应用中都有上佳表现
  • 800 V SuperFET II 系列 提供高效率,并且非常适用于需要更高击穿电压设计裕量的应用,它采用集成式栅极齐纳二极管提供内置 ESD 保护。

应用: