TO-无铅高级封装技术

Fairchild 创新的功率半导体 TO-无铅 (TO-LL) 高级封装技术专为大电流应用而设计。

车用 TO 无铅封装

TO-LL 技术提供极低的封装电阻,且非常小巧,并具有极佳的 EMI 特性。 该技术现推出了丰富的电压等级,专为汽车应用而设计和认证。

极致的效率

  • Fairchild 最新的屏蔽栅极沟道 PowerTrench™ MOSFET 技术与 TO-LL 封装相结合,带来了极低的 RDS(on) 范围和同类产品中首屈一指的开关和 EMI 性能。

超小封装

  • TO-LL 封装比 D2PAK (TO263) 封装缩小了大约 30%,但最大仍可可处理 300 A 的电流。 其高度也几乎减半,在许多应用中都非常有利,因为空间总是非常紧张的。

系统成本更低

  • TO-LL 封装能简化设计,从而避免添加其他被动元件。 与其它分立封装相比,大电流应用中所需的并联 MOSFET 的数量也会显著减少,从而降低整体系统成本。

产品组合

部件编号

电压额定值
最大值
R DS(ON)
下载
数据表
订购
样品
FDBL9401_F085 40 V 0.65 mΩ PDF 样品
FDBL9403_F085 40 V 0.9 mΩ PDF 样品
FDBL9406_F085 40 V 1.2 mΩ PDF 样品
FDBL86210_F085 150 V 6.3 mΩ PDF 样品
FDBL86561_F085 60 V 1.1 mΩ PDF 样品
FDBL86361_F085 80 V 1.4 mΩ PDF 样品

查看完整的参数表 »

封装信息

H-PSOF 8L

典型汽车大功率应用

  • 电动转向
  • 电池开关
  • 大电流 DC/DC 转换
  • 泵和压缩机驱动
  • 起动器发电机