Ultra FRFET™

Ultra FRFET™ 系列通过提供 35 ns ~ 65 ns 的最佳反向恢复时间 (trr),以及业内最小的反向恢复电流(1.8 A ~ 3.1 A)来优化设计。 一些逆变器应用将 MOSFET 与两个快速恢复二极管 (FRD) 和两个阻塞二极管用于一个半桥电路中,以启动非零电压开关。 FRD 用于降低反向恢复电流。 阻塞二极管可防止 MOSFET 的内置二极管开启并消除二极管的大反向恢复电流。 Fairchild 的突破性解决方案无需在半桥电路中使用两个阻塞二极管和两个 FRD,节省了电路板空间和成本。

要求

用于可调光镇流器、运动和太阳能系统中 Non-ZVS (零电压开关)桥电路的专用 MOSFET

优势

  • 由于更小的 trr 和 Qg,从而减少开关损耗
  • 移除桥式电路中的外部阻塞二极管和 FRD
  • 高温和高频中的高可靠性( 左箭头 高二极管 dv/dt 免疫力 > 20 V/ns)
  • 更佳的 EMI 特性( 左箭头 较小的反向恢复电流和软恢复特性)

电路图

MOSFET 的导通峰值电流

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较小的反向恢复电流可减少半桥电路中另一侧MOSFET的导通损耗。

Trr 比较(典型值)

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Ultra FRFET的软反向恢复特性可改进EMI性能。

二极管 dv/dt 免疫力比较(典型值)

  FDPF12N50T
常规 MOSFET
FDPF12N50FT
FRFET
FDPF12N50UT
Ultra FRFET
1 号 6.7V/ns 25V/ns 32V/ns
2 号 6.8V/ns 24V/ns 33V/ns
3 号 6.7V/ns 25V/ns 30V/ns
4 号 6.5V/ns 26V/ns 32V/ns
5 号 6.5V/ns 26V/ns 32V/ns

Ultra FRFET 极佳的二极管 dv/dt 免疫力改进了其在高温和高频操作中的可靠性。