UniFET™ MOSFET

UniFET™ MOSFET属于 Fairchild 的高压MOSFET系列,采用先进的平面条形和DMOS技术。 该先进 MOSFET 系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部栅源 ESD 二极管可使 UniFET II MOSFET 承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正( PFC )、平板显示器( FPD )电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

产品特性

  • “软”体二极管恢复和 100% 雪崩测试
  • 不同恢复特性的二极管选项
  • 动态特性中的更小储存能量(即电容)
  • 低栅极电荷 (Qg) 性能
  • 平面型 MOSFETs 中的最低导通电阻 Rds (Qg)
  • 改进的栅源 ESD 结构

优势

  • 提高的 PFC 和软开关拓扑的系统可靠性。
  • 优化的不同应用 (FRFET® 系列和 Ultra FRFET™ 系列)
  • 开关损耗的改进
  • 更低的传导损耗

平面型 vs 超结技术的 MOSFET

平面型MOSFET

  • 容易使用于应用
  • 天生地,低电磁干扰( EMI )噪声
  • 强大的重复性雪崩能量,EAR
  • 异常条件下工作可靠

超结MOSFET

  • 开关速度更快,可最大限度提高系统效率
  • 功率密度更高
  • 快速与优化的开关性能
  • 异常条件下工作可靠

应用

  • LCD/LED/PDP电视
  • 照明
  • 不间断电源
  • 逆变器
  • AC/DC 电源

UniFET II MOSFET - 体二极管的反向恢复时间(trr)

UniFET II MOSFET - 输出电容的低存储能量

UniFET II MOSFET - 输出电容的低存储能量

UniFET II MOSFET – 效率

UniFET II MOSFET – 效率