IGBT/MOSFET 栅极驱动器

IGBT/MOSFET 栅极驱动光电耦合器系列提供快速开关性能,允许设计人员使用更小巧的滤波器,从而降低系统的整体功耗。 这些器件适用于太阳能逆变器、电机驱动和感应加热等应用中。 飞兆半导体的光电耦合器具有同类最佳共模抑制(CMR) 比,使应用实现更优的抗噪性能。 这些器件具有极小的脉宽失真以及增强的功率效率,还可提供 1414V 的峰值工作电压,以适应 IGBT 1200V 的开关电压。

栅极驱动器输出级包含 PMOS 和 NMOS 对,这有助于输出实现轨对轨全摆幅。 该特性允许在通态和短路情况期间严密控制栅极电压。 这些 IGBT/MOSFET 栅极驱动光耦丰富了飞兆半导体分立功率 IGBT/MOSFET 产品线的强大和业已稳固的供货能力。 如今,飞兆半导体能够为客户提供“从电路的逻辑控制部分直到功率 IGBT/MOSFET 隔离栅极驱动器”的一站式服务。

飞兆半导体新推出的智能栅极驱动光电耦合器为设计人员提供了隔离栅极驱动和故障感测功能

飞兆的 FOD8316 / FOD8318 智能栅极驱动光电耦合器是 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器,为防止导致 IGBT 破坏性热失控的故障提供关键保障。 此全新产品系列中的光电耦合器均具有高速的隔离式反馈功能,可提供绝佳的故障检测能力,适用于驱动功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关。 此器件具有一个集成式的栅极驱动光电耦合器,其配备有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,能助力实现 IGBT 的轨对轨驱动。  FOD8316/FOD8318 采用 Optoplanar ® 共平面封装技术提供业界最佳的抗噪声能力。 Optoplanar ® 技术确保超过 0.4 毫米的安全隔离厚度,从而实现可靠的高压隔离,通过 UL1577 和 DIN EN/IEC60747-5-5 标准认证。 FOD8318 提供有源米勒箝位功能,可在高 dv/dt 状态期间关断 IGBT,而无需负电源电压。 这样可以简化设计,提高可靠性。

IGBT/MOSFET 栅极驱动器 产品

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应用指南描述
AN-3009
AN-5073